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P123是什麽作用： 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
P123類似电子零件：
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P123 PDF資料和參數原理簡介
品牌 : Polyfet RF
封裝形式 : SO-8
引腳數量 : 8
溫度範圍 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 41 KB
功能應用 : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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