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LP801是什麽作用: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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LP801是什麽作用: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
品牌 : Polyfet RF
封裝形式 :
引腳數量 : 2
溫度範圍 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 38 KB
功能應用 : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor