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F2201類似电子零件：

  • F2201
    • 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2202
    • 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2201 PDF資料和參數原理簡介

品牌 : Polyfet RF 

封裝形式 :  

引腳數量 : 2 

溫度範圍 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 38 KB

功能應用 : 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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