PHB9N60E類似电子零件:

  • PHB96NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB98N03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB9N60E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHB9NQ20T
    • N-channel TrenchMOS transistor

PHB9N60E PDF資料和參數原理簡介

品牌 : Philips 

封裝形式 : SOT404 

引腳數量 : 3 

溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 45 KB

功能應用 : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. 

PHB9N60E PDF資料下載