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BUK555-200B是什麽作用: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.
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BUK555-200B是什麽作用: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.
品牌 : Philips
封裝形式 : TO220AB
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 0 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 76 KB
功能應用 : PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.