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MTB3N120E是什麽作用: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
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MTB3N120E是什麽作用: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
品牌 : Motorola
封裝形式 : DPAK
引腳數量 : 4
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 354 KB
功能應用 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount