BC263類似电子零件:

  • BC261
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC262
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC263
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor

BC263 PDF資料和參數原理簡介

品牌 : Micro Electronics 

封裝形式 : TO-18 

引腳數量 : 3 

溫度範圍 : 最小 -65 °C | 最大 200 °C

文件大小 : 103 KB

功能應用 : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor 

BC263 PDF資料下載