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IXFN100N10S3是什麽作用： 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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IXFN100N10S3 PDF資料和參數原理簡介
品牌 : IXYS
封裝形式 : SOT-227B
引腳數量 : 4
溫度範圍 : 最小 -40 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 108 KB
功能應用 : 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
IXFN100N10S3 PDF資料下載