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IXBT42N170是什麽作用： 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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- 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
IXBT42N170 PDF資料和參數原理簡介
品牌 : IXYS
封裝形式 : TO-268
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 54 KB
功能應用 : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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