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IRFU9N20D是什麽作用： HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A
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IRFU9N20D PDF資料和參數原理簡介
品牌 : IR
封裝形式 : I-PAK
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 138 KB
功能應用 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A
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