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IRFIBF30G是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
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IRFIBF30G是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
品牌 : IR
封裝形式 : TO-220 FULLPAK
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 183 KB
功能應用 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A