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IRFIB6N60A是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
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IRFIB6N60A是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
品牌 : IR
封裝形式 : TO-220 FULLPAK
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 163 KB
功能應用 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A