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IRF5806是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 86 mOhm, ID = -4.0A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 147 mOhm, ID = -3.0A @ VGS = -2.5V
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IRF5806是什麽作用: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 86 mOhm, ID = -4.0A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 147 mOhm, ID = -3.0A @ VGS = -2.5V
品牌 : IR
封裝形式 : Micro6
引腳數量 : 6
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 239 KB
功能應用 : HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 86 mOhm, ID = -4.0A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 147 mOhm, ID = -3.0A @ VGS = -2.5V