BS616LV2012DI是什麽作用： 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit

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BS616LV2012DI
- 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit
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- 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 512K x 16bit
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BS616LV2012DI PDF資料和參數原理簡介

品牌 : BSI

封裝形式 : DICE

引腳數量 : 48

溫度範圍 : 最小 -40 °C | 最大 85 °C

文件大小 : 238 KB

功能應用 : 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit