F1214類似电子零件:

  • F1210
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1214
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1214 PDF資料和參數原理簡介

品牌 : Polyfet RF 

封裝形式 :  

引腳數量 : 6 

溫度範圍 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 38 KB

功能應用 : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1214 PDF資料下載