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BD241B是什麽作用: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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BD241B是什麽作用: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
品牌 : Micro Electronics
封裝形式 : TO-220B
引腳數量 : 3
溫度範圍 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 106 KB
功能應用 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor